SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:11Pages:1981-1983
Abstract在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2615852
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16477
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗卫军,陈晓娟,李成瞻,等. 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制[J]. 半导体学报,2006,27(11):1981-1983.
APA 罗卫军.,陈晓娟.,李成瞻.,刘新宇.,和致经.,...&王晓亮.(2006).高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制.半导体学报,27(11),1981-1983.
MLA 罗卫军,et al."高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制".半导体学报 27.11(2006):1981-1983.
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