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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
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期刊论文
作者:
Zhang LQ
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn
;
hyang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Yuan, YG
;
Zhang, Y
;
Chu, KH
;
Li, XY
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Yuan, YG, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yyg@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
周立
;
陈涌海
;
王占国
;
赵有文
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Luo, MC
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Hu, WG
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Fan, HB
;
Zhu, QS
;
Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wang XL
;
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Jahn U
;
Ploog K
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1141/273
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Cheng BC (Cheng Baochang)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Cheng, BC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bcheng@vip.sina.com
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提交时间:2010/04/11