中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1688/204  |  提交时间：2011/08/30
一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  谈笑天;  郑厚植
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1157/170  |  提交时间：2011/08/30
在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(1282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：840/69  |  提交时间：2014/11/17
在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：730/96  |  提交时间：2014/12/25
GaAs半导体材料刻蚀液的配方 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-08
发明人:  李炎勇;  王开友
Adobe PDF(1500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：630/62  |  提交时间：2014/10/31
GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  徐建星;  査国伟;  张立春;  魏思航;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(865Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：542/5  |  提交时间：2016/09/28