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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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55
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65
70
75
80
85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
;
蒋渭生
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浏览/下载:1198/149
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提交时间:2009/06/11
单光子探测装置的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘伟
;
杨富华
;
曾宇昕
;
郑厚植
Adobe PDF(385Kb)
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浏览/下载:1108/170
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提交时间:2009/06/11
矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘志宏
;
王圩
Adobe PDF(668Kb)
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浏览/下载:1271/141
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提交时间:2009/06/11
半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘志宏
;
王圩
Adobe PDF(574Kb)
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浏览/下载:1491/222
  |  
提交时间:2009/06/11
偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王书荣
;
王圩
;
刘志宏
;
张瑞英
;
朱洪亮
;
王鲁蜂
Adobe PDF(467Kb)
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浏览/下载:1191/163
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei ZF
;
Xu SJ
;
Duan RF
;
Li Q
;
Wang J
;
Zeng YP
;
Liu HC
;
Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, CAS, Joint Lab New Mat, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(225Kb)
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浏览/下载:1111/342
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu JJ
;
Han XX
;
Li JM
;
Li DB
;
Lu Y
;
Wei HY
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(242Kb)
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浏览/下载:1190/406
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提交时间:2010/03/17
基于湿法刻蚀工艺设计和制作SOI 热光开关和矩阵光开关
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:
刘敬伟
Adobe PDF(3677Kb)
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浏览/下载:855/32
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cong, GW
;
Wei, HY
;
Zhang, PF
;
Peng, WQ
;
Wu, JJ
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Hu, WG
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gwcong@semi.ac.cn
Adobe PDF(367Kb)
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浏览/下载:1098/409
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋淑芳
;
陈维德
;
张春光
;
卞留芳
;
许振嘉
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浏览/下载:973/258
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提交时间:2010/11/23