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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上生长p型GaN基材料;步骤2:在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料;步骤3:在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层;步骤4:在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN200910236706.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910236706.7
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22325
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
冉军学,王晓亮,李建平,等. Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法. CN200910236706.7.
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