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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
作者: Jiang DS;  Liang XG;  Chang K;  Bian LF;  Sun BQ;  Wang JB;  Johnson S;  Zhang Y
出版日期: 2002
会议日期: DEC 11-13, 2002
摘要: The structural and optical properties of GaAsSb/GaAs-based quantum wells (QWs) are investigated. The interface quality of GaAsSb/GaAs/GaAsP coupled double (CD) QW structures is improved due to the strain compensation of epitaxial layers. The CD QWs possess a W-shape of energy band structure, and the optical properties display the features characteristic of a type-IQW when the GaAsSb layer thickness is thin enough.
会议名称: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD)
KOS主题词: Lasers;  gain;  Gallium arsenide
会议文集: COMMAD 2002 PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Jiang DS; Liang XG; Chang K; Bian LF; Sun BQ; Wang JB; Johnson S; Zhang Y .Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells .见:IEEE .COMMAD 2002 PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2002,255-258
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