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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:  刘胜北
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4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  刘胜北
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4h-sic  肖特基二极管  Jbs  沟槽型肖特基  欧姆接触  
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Shuxian Cai;  Zhonghua Liu;  Ni Zhong;  Shengbei Liu;  Xingfang Liu
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu Zheng, Guosheng Sun, Feng Zhang, Shengbei Liu , Bin Liu , Lin Dong, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu , Guoguo Yan , Lixin Tian ,Yiping Zeng
Adobe PDF(1051Kb)  |  Favorite  |  View/Download：446/147  |  Submit date：2014/03/26
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Feng Zhang , Guosheng Sun , Wanshun Zhao , Lei Wang , Liu Zheng , Shengbei Liu , Bin Liu , Lin Dong , Xingfang Liu , Guoguo Yan , Lixin Tian , and Yiping Zeng
Adobe PDF(472Kb)  |  Favorite  |  View/Download：785/354  |  Submit date：2014/03/19
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu, Xingfang;  Sun, Guosheng;  Liu, Bin;  Yan, Guoguo;  Guan, Min;  Zhang, Yang;  Zhang, Feng;  Chen, Yu;  Dong, Lin;  Zheng, Liu;  Liu, Shengbei;  Tian, Lixin;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Zeng, Yiping
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(241Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1613/130  |  Submit date：2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
Adobe PDF(390Kb)  |  Favorite  |  View/Download：989/125  |  Submit date：2014/10/31
碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
Inventors:  董林;  孙国胜;  赵万顺;  王雷;  刘兴昉;  刘斌;  张峰;  闫果果;  郑柳;  刘胜北
Adobe PDF(344Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1066/120  |  Submit date：2014/10/29