| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 | |
| 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-07-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2012-03-07 |
| 申请号 | CN201210057866.7 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25339 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑柳,孙国胜,刘兴昉,等. 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方（390KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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