碳化硅材料腐蚀炉
董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-04-11
申请号CN201210105183.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25312
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
董林,孙国胜,赵万顺,等. 碳化硅材料腐蚀炉.
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