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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Zhang, Yejin
;
Qu, Hongwei
;
Wang, Hailing
;
Zhang, Siriguleng
;
Ma, Shaodong
;
Qi, Aiyi
;
Feng, Zhigang
;
Peng, Hongling
;
Zheng, Wanhua
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Submit date:2013/09/17
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Zhang, Yejin
;
Qu, Hongwei
;
Wang, Hailing
;
Zhang, Siriguleng
;
Liu, Lei
;
Ma, Shaodong
;
Zheng, Wanhua
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Submit date:2013/09/22
基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:
马绍栋
;
郑婉华
;
陈微
;
周文君
;
刘安金
;
彭红玲
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Submit date:2011/08/31
基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
马绍栋
;
付非亚
;
王宇飞
;
王海玲
;
彭红玲
;
郑婉华
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Submit date:2012/09/09
一种铁电晶体材料的极化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
范学东
;
马传龙
;
王海玲
;
王宇飞
;
马绍栋
;
郑婉华
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Submit date:2012/09/09
一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
郑婉华
;
彭红玲
;
渠宏伟
;
马绍栋
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Submit date:2012/09/09
一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
彭红玲
;
郑婉华
;
石岩
;
马绍栋
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Submit date:2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
渠红伟
;
彭红玲
;
王海玲
;
马绍栋
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Submit date:2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
郑婉华
;
范学东
;
马传龙
;
马绍栋
;
齐爱谊
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Submit date:2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
马绍栋
;
齐爱谊
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Submit date:2012/09/09