| 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池; 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 |
| 马绍栋; 付非亚; 王宇飞; 王海玲; 彭红玲; 郑婉华
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池,包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20),该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术,在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30),该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40),该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50),该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60),该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明,解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题,达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
|
| 专利号 | CN102163638A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110067715.5
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23457
|
| 专题 | 纳米光电子实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
马绍栋,付非亚,王宇飞,等. 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池, 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池. CN102163638A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论