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基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
马绍栋; 郑婉华; 陈微; 周文君; 刘安金; 彭红玲
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池,包括:一下电极;一N型材料层,该N型材料层制作在下电极上;一第一TCO薄膜层,该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上;一第二TCO薄膜层,该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上;一P型材料层,该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上;一上图形电极,该上图形电极制作在P型材料层上。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN201010196135.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010196135.1
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22431
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
马绍栋,郑婉华,陈微,等. 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池. CN201010196135.1.
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