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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1704/383  |  提交时间:2012/09/07 |
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07 发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/336  |  提交时间:2012/09/07 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1791/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华 Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/343  |  提交时间:2012/09/07 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1108/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 陈燕坤; 韩伟华; 洪文婷; 杨富华 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:564/89  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06 发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/91  |  提交时间:2014/10/24 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:637/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 太赫兹波探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 白龙; 颜伟; 杨富华 Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:508/5  |  提交时间:2016/09/28 |