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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法; 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-07 ; 2011-09-28 ; 2011-09-28 ; 2012-09-07
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,包括:一硅衬底;一氧化硅层,该氧化硅层制作在硅衬底上;一工形台面结构,该工形台面结构制作在氧化硅层上,该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极,该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构;一保护层,该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面,在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口;一金属栅电极,该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上,并靠近N型电极的一侧;两光电流输出金属电极,该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
申请日期2011-05-13
专利号CN102201483A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110124310.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23348
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
韩伟华,陈燕坤,李小明,等. 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法. CN102201483A.
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作(547KB) 限制开放使用许可请求全文
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