| 半导体晶体管结构及其制造方法; 半导体晶体管结构及其制造方法 | |
| 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-07 ; 2011-12-14 ; 2012-09-07 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种半导体晶体管结构,包括：一绝缘体上硅,该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅,该顶层硅的中间有一凹部,该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区,该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道,该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内,并包裹硅鳍状结构；一漏电极,该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极,该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极,该栅电极制作在栅极导电条上。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Application Date | 2011-08-22 |
| Patent Number | CN102280454A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110241106.7 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23346 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张严波,韩伟华,杜彦东,等. 半导体晶体管结构及其制造方法, 半导体晶体管结构及其制造方法. CN102280454A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 半导体晶体管结构及其制造方法.pdf（941KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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