SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法

	SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法; SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
	杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-07 ; 2012-05-02 ; 2012-09-07
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN?HEMT,包括：一衬底,在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极,该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层,制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层,制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极,其断面为T形,制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内,栅电极上部高于上钝化层的表面。
部门归属	半导体集成技术工程研究中心
申请日期	2011-12-01
专利号	CN102437182A
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201110392863.4
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23342
专题	半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	杜彦东,韩伟华,颜伟,等. SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法, SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法. CN102437182A.