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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1573/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1212/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:724/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:709/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:745/66  |  提交时间:2014/11/17 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/83  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:652/84  |  提交时间:2014/11/24 |