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| 光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 马小涛; 任刚; 蔡向华
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| 一种光子晶体激光耦合输出器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马小涛; 郑婉华; 任刚; 蔡向华
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| 一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1992-02-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 涂相征; 李韫言
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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| 一种雪崩光电二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 向伟; 王国伟; 徐应强; 郝宏玥; 蒋洞微; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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