SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条,第1-6条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑婉华;  马小涛;  任刚;  蔡向华
Adobe PDF(643Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1019/148  |  提交时间:2009/06/11
一种光子晶体激光耦合输出器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  任刚;  蔡向华
Adobe PDF(522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:955/138  |  提交时间:2009/06/11
一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1992-02-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  涂相征;  李韫言
Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/156  |  提交时间:2009/06/11
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/206  |  提交时间:2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1307/262  |  提交时间:2011/08/31
在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/245  |  提交时间:2012/08/29