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| SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 顾宇翔
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 顾增辉
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 顾超
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 林谷宜
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 谷文
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| Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 谷承艳
Adobe PDF(7554Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1227/82 | 提交时间：2013/06/20 |
| 双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘海军; 顾明
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| 三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘金彬; 顾明; 刘海军
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| 一种智能监控系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵顾良; 孙华; 鲁华祥; 王守觉
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| 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 黄北举; 顾明; 刘海军
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