| Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计 | |
| 谷承艳 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 刘祥林 ; 杨少延 ; 李成明 |
| 2013 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料物理与化学 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2013-06-20 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24164 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 谷承艳. Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2013. |
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| 谷承艳-博士.pdf（7554KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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