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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  纪攀峰;  朱峰
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具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  朱礼军
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磁圆二向色性光电导谱测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  黄学骄;  王丽国;  申超;  朱汇
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