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GaMnSb稀磁半导体材料制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  杨冠东
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制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
Inventors:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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