|
Selected(0)Clear
Items/Page: Sort: |
| GaN基大功率LED的外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors: 纪攀峰
 Adobe PDF(3620Kb) |  Favorite | View/Download：1071/114 | Submit date：2011/06/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Tongbo; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin; Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(673Kb) | Favorite | View/Download：1492/521 | Submit date：2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Xuecheng; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin; Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1784Kb) | Favorite | View/Download：893/169 | Submit date：2012/06/14 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(315Kb) | Favorite | View/Download：1674/220 | Submit date：2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
Inventors: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(495Kb) | Favorite | View/Download：1270/153 | Submit date：2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
Inventors: 李京波; 纪攀峰; 朱峰
Adobe PDF(486Kb) | Favorite | View/Download：1136/210 | Submit date：2011/08/30 |
| 一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(1296Kb) | Favorite | View/Download：438/3 | Submit date：2016/08/30 |
| MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(327Kb) | Favorite | View/Download：691/2 | Submit date：2016/08/30 |
| 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
Inventors: 王文军; 李晋闽; 王军喜; 马平; 纪攀峰; 郭金霞; 孔庆峰; 胡强
Adobe PDF(282Kb) | Favorite | View/Download：678/100 | Submit date：2014/11/05 |
| 氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors: 马平; 刘波亭; 甄爱功; 郭仕宽; 纪攀峰; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(548Kb) | Favorite | View/Download：584/97 | Submit date：2014/11/05 |
