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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1711/284  |  提交时间:2010/08/12 |
| 制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12 发明人: 韩培德 Adobe PDF(1063Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1262/178  |  提交时间:2010/08/12 |
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12 发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文 Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1833/292  |  提交时间:2010/08/12 |
| 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 陆全勇; 张 伟; 王利军; 高 瑜; 尹 雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/305  |  提交时间:2010/08/12 |
| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林 Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/188  |  提交时间:2010/03/19 |
| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1588/242  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1346/205  |  提交时间:2010/03/19 |
| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韦欣 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1195/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 魏鸿源; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/207  |  提交时间:2009/06/11 |
| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠 Adobe PDF(603Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/222  |  提交时间:2009/06/11 |