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| 用于照明的LED平面光源结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 范曼宁; 梁萌; 王国宏 Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1343/209  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlGaInP基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭德博; 王国宏; 梁萌; 范曼宁 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1308/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| LED照明的LCD背光源结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 梁萌; 王国宏; 范曼宁; 郭德博 Adobe PDF(692Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1377/214  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2062/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1622/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/209  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:962/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:921/71  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/93  |  提交时间:2014/11/17 |