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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法; 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法,包括:选择一衬底;在该衬底上生长一氮化镓成核层;在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层;在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层;在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层;在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层;在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层;以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明,可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力,同时使GaN外延层中的位错转向、合并,从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度,改善材料质量,提高发光二极管的抗静电能力。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102214740A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110136242.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23511
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李志聪,姚然,王兵,等. 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法, 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法. CN102214740A.
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方(1092KB) 限制开放使用许可请求全文
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