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| 碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 董林
Adobe PDF(6447Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:834/58  |  提交时间:2014/06/03 碳化硅 外延生长 物性表征 产业化 化学气相沉积 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang F (Zhang Feng); Sun GS (Sun Guosheng); Huang HL (Huang Huolin); Wu ZY (Wu Zhengyun); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wanshun); Liu XF (Liu Xingfang); Yan GG (Yan Guoguo); Zheng L (Zheng Liu); Dong L (Dong Lin); Zeng YP (Zeng Yiping)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun GS; Liu XF ; Wu HL; Yan GG ; Dong L ; Zheng L ; Zhao WS; Wang L; Zeng YP; Li XG; Wang ZG; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
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| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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