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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 一种离子或生物检测探头的基座 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1989-06-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 汪正孝; 张智宏; 张允强
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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄
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| 制备微透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 査国伟; 喻颖; 李密峰; 王莉娟; 倪海桥; 贺正宏; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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| 一种雪崩光电二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 向伟; 王国伟; 徐应强; 郝宏玥; 蒋洞微; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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