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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1924/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12 发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉 Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1858/301  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1595/262  |  提交时间:2010/03/19 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1522/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1354/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1020/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1278/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1798/292  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2610/485  |  提交时间:2012/08/29 |