| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置; 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | |
| 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,包括：一主腔室,为一圆柱形的中空体,用于提供晶体生长的真空环境,该主腔室的径向穿过一尾气管路,在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内,在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内,在可动托盘的上方；一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室提供样品,该第一辅助腔室位于主腔室的一侧,与主腔室连通,在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室取出样品,该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧,与主腔室连通,在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心 |
| 申请日期 | 2011-09-08 |
| 专利号 | CN102304763A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110267894.7 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23314 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴昉,郑柳,董林,等. 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置, 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN102304763A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置.p（575KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [刘兴昉]的文章 |
| [郑柳]的文章 |
| [董林]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [刘兴昉]的文章 |
| [郑柳]的文章 |
| [董林]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [刘兴昉]的文章 |
| [郑柳]的文章 |
| [董林]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论