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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 在非透明衬底上生长的磁性薄膜的透射MCD光谱的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 贺振鑫; 刘奇; 吴元军; 纪晓晨
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| 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 喻颖; 李密锋; 贺继方; 査国伟; 徐建星; 尚向军; 王莉娟; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李密锋; 喻颖; 贺继方; 査国伟; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华
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| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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