SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
喻颖; 李密锋; 贺继方; 査国伟; 徐建星; 尚向军; 王莉娟; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-01-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-10-23
申请号CN201310503797.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25501
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
喻颖,李密锋,贺继方,等. 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法.
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基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方(588KB) 限制开放使用许可请求全文
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