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基于显微磁圆二色谱的过渡金属二硫族化合物磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  吴元军
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自旋电子学  过渡金属二硫族化合物  谷塞曼劈裂  磁圆二色性  单层  
在非透明衬底上生长的磁性薄膜的透射MCD光谱的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  贺振鑫;  刘奇;  吴元军;  纪晓晨
Adobe PDF(768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：842/84  |  提交时间：2014/11/24