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| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1820/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1589/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平 Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1728/240  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1611/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1780/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1904/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1631/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1978/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1914/367  |  提交时间:2012/09/09 |