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一种氮化镓系发光二极管
马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种氮化镓系发光二极管,包括:一衬底;一氮化镓成核层,该氮化镓成核层制作在衬底上;一缓冲层制作在成核层上;一n型接触层制作在缓冲层上,该n型接触层由n型氮化镓构成;一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面,所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成;一p型电子阻挡层制作在活性发光层上,其下为氮化镓薄层,该p型电子阻挡层由铝镓氮构成;一p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上;一p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上,该p型接触层由p型氮化镓构成;一负电极制作在制作在n型接触层的台面上;一正电极制作在p型接触层上,完成氮化镓系发光二极管的制作。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN201010235850.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010235850.1
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22139
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
马平,王军喜,刘乃鑫,等. 一种氮化镓系发光二极管. CN201010235850.1.
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