| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 |
| 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能有效提高LED的发光效率。本发明可通过常规LED工艺流程予以实现：首先对GaN外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽，其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN，在P型GaN表面制备侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，然后在导电薄膜上制备P型电极，在沟槽内制备N型电极。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010113819.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010113819.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22159
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
闫发旺,孙莉莉,张会肖,等. 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法. CN201010113819.0.
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