| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 |
| 杨华 ; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种透明电极GaN基LED结构，包括：一衬底；一N型GaN层，该N型GaN层生长在衬底上；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上，该GaN材料有源层的面积小于N型GaN层的面积，而位于N型GaN层的一侧，在N型GaN层的另一侧形成有一台面；一P型GaN层，该P型GaN层制作在GaN材料有源层上；一ZnO层，该ZnO层制作在P型GaN层上；一P型电极，该P型电极制作在ZnO层上；一N型电极，该N型电极制作在N型GaN层的台面上。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN200910081994.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081994.3
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22169
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨华,王晓峰,阮军,等. 透明电极GaN基LED结构及其制作方法. CN200910081994.3.
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