| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 | |
| 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010113804.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010113804.4 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22157 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极. CN201010113804.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010113804.4.pdf（212KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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