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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
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| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 具有复位功能的静态随机存储单元 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201110004548.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 吴利华; 韩小炜; 赵凯; 于芳
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘雯 ; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 徐晓娜 ; 李越强; 王晓东; 杨富华
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| 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240934.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
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