利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 | |
徐晓娜![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法,包括如下步骤:步骤1:在晶片表面涂布抗蚀剂;步骤2:采用飞秒激光直写技术,在抗蚀剂表面形成图形;步骤3:采用电子束蒸发技术,在图形的表面蒸发金属,使金属附着于图形的上面,同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面;步骤4:剥离晶片表面涂布的抗蚀剂,并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属,得到金属-半导体接触电极。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Patent Number | CN201010283562.3 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010283562.3 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22349 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐晓娜,李越强,王晓东,等. 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法. CN201010283562.3. |
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