| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 | |
徐晓娜 ; 李越强; 王晓东; 杨富华
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面；步骤4：剥离晶片表面涂布的抗蚀剂，并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属，得到金属-半导体接触电极。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010283562.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010283562.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22349 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 徐晓娜,李越强,王晓东,等. 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法. CN201010283562.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010283562.3.pdf（264KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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