| 相变存储器的制作方法 |
| 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤5：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤6：在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料；步骤7：在相变材料上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010263081.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010263081.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22351
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
马慧莉,王晓峰,张加勇,等. 相变存储器的制作方法. CN201010263081.6.
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