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| 对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 赵建华; 姬 扬; 郑厚植; 杨 威; 鲁 军 Adobe PDF(545Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1899/258  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1939/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1530/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平 Adobe PDF(296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1306/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1597/223  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华 Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1757/204  |  提交时间:2011/08/30 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1738/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225784.2, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 秦龙; 韩勤; 杨晓红; 朱彬; 鞠研玲; 李文兵 Adobe PDF(800Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1528/167  |  提交时间:2011/08/30 |
| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠 Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1655/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/110  |  提交时间:2011/08/30 |