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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xin Rong; Xinqiang Wang; Sergey V. Ivanov; Xinhe Jiang; Guang Chen; Ping Wang; Weiying Wang; Chenguang He; Tao Wang; Tobias Schulz; Martin Albrecht; Valentin N. Jmerik; Alexey A. Toropov; Viacheslav V. Ratnikov; Vladimir I. Kozlovsky; Victor P. Martovitsky; Peng Jin; Fujun Xu; Xuelin Yang; Zhixin Qin; Weikun Ge; Junjie Shi; and Bo Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jian Ma; Ping Shi; Xuan Qian; Wei Li; Yang Ji
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu, Shi-Yong; Zeng, Xiang-Bo; Peng, Wen-Bo; Yao, Wen-Jie; Xie, Xiao-Bing; Yang, Ping; Wang, Chao; Wang, Zhan-Guo; Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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