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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1344/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(497Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1413/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1736/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明 Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/164  |  提交时间:2011/08/30 |
| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄 Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/110  |  提交时间:2011/08/30 |