已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华 Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1789/274  |  提交时间:2010/08/12 |
| 适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 杨晋玲; 周美强; 周 威; 唐龙娟; 朱银芳; 杨富华 Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2540/418  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 提刘旺; 杨晓红; 韩 勤 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2642/380  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 杨晓红; 韩 勤; 提刘旺 Adobe PDF(383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/268  |  提交时间:2010/08/12 |
| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007 发明人: 杨 涛; 季海铭 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1369/204  |  提交时间:2010/03/19 |
| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于虚拟信源和神经网络的无损数据压缩方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国为; 涂序彦; 王守觉 Adobe PDF(459Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1127/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2055/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/248  |  提交时间:2012/09/09 |