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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 | |
| 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-03-17 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1:在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影;步骤2:将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击;步骤3:将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟;步骤4:用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤5:再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤6:将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属;步骤7:将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干;步骤8:将淀积完金属的基片退火，完成制作。 |
| 申请日期 | 2008-09-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810119798.6 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13362 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谈笑天,郑厚植,刘 剑,等. 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3547.pdf（316KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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