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无权访问的条目 学位论文
Authors:  刘文强
Adobe PDF(1879Kb)  |  Favorite  |  View/Download:0/0  |  Submit date:2020/09/22
Monolithic semi-polar (1101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 087802
Authors:  Qi Wang ;   Guo-Dong Yuan ;   Wen-Qiang Liu ;   Shuai Zhao ;   Lu Zhang ;   Zhi-Qiang Liu ;   Jun-Xi Wang ;   Jin-Min Li
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Highly Conductive Graphene Paper with Vertically Aligned Reduced Graphene Oxide Sheets Fabricated by Improved Electrospray Deposition Technique 期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2019, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 10810-10817
Authors:  Jun-Xiang Yan;   Yu-Chen Leng;   Ya-Nan Guo;   Guo-Qiang Wang;   He Gong;   Pei-Zhi Guo;   Ping-Heng Tan;   Yun-Ze Long;   Xue-Lu Liu ;   Wen-Peng Han
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内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 596-599
Authors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
Authors:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  孔庆峰;  郭金霞;  纪攀峰;  马平;  王文军;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
Inventors:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
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