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在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 656
Authors:  黄大定;  高维滨;  吴正龙;  张建辉;  刘志凯
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用低能离子束淀积技术在硅(111)衬底上生长氧化铈外延薄膜 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 153
Authors:  黄大定;  秦复光;  姚振钰;  刘志凯;  任治璋;  林兰英;  高维滨;  任庆余
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GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 831
Authors:  陆大成;  汪度;  王晓晖;  董建荣;  刘祥林;  高维滨;  李成基;  李蕴言
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Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备 期刊论文
半导体学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 435
Authors:  高维滨
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弹性弯曲支承计算机辅助设计 期刊论文
仪器仪表学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 180
Authors:  高维滨
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MBE[(AlxGa(1-x)As)l(GaAs)m]n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 86
Authors:  姜力;  吴苍生;  王玉田;  高维宾
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硅单晶次缺陷图集 成果
1987
Accomplishers:  张一心;  蔡田海;  高维滨
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硅单晶