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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324
Authors:  廖梅勇;  秦复光;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  姚振钰;  王占国
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GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2000, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 127
Authors:  贺洪波;  范正修;  姚振钰;  汤兆胜
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在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338
Authors:  姚振钰;  贺洪波;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  张建辉;  廖梅勇;  范正修;  秦复光;  王占国;  林兰英
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图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1010
Authors:  吴正龙;  姚振钰;  刘志凯;  张建辉;  秦复光;  林兰英
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多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构 期刊论文
功能材料与器件学报, 1999, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 66
Authors:  贺洪波;  范正修;  姚振钰
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在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究 期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 1998, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 492
Authors:  吴正龙;  姚振钰;  张建辉;  刘志凯;  秦复光
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CoSi2超薄外延膜的生长研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 221
Authors:  姚振钰;  张国炳;  秦复光;  刘志凯;  张建辉;  林兰英
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用低能离子束淀积技术在硅(111)衬底上生长氧化铈外延薄膜 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 153
Authors:  黄大定;  秦复光;  姚振钰;  刘志凯;  任治璋;  林兰英;  高维滨;  任庆余
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质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究 期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 509
Authors:  黄大定;  姚振钰;  任治璋;  王向明;  刘志凯;  秦复光
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用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究 期刊论文
半导体学报, 1992, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 518
Authors:  姚振钰;  任治璋;  王向明;  刘志凯;  黄大定;  秦复光;  林兰英
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